计算机原理(二)

计算机原理(二)

存储器的分类结构如下

undefined

RAM介绍

RAM
随机存取存储器(random access memory,RAM)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。
它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,缓存使用的多数都是ram。

SRAM
静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。 速度快,集成度低,高速缓冲存储器。

DRAM
动态随机存取存储器,最为常见的系统内存,即DRAM(Dynamic Random Access Memory)。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 关机就会丢失数据。 集成度高,功耗低,需要不断刷新,一般做内存。

ROM简介

ROM
只读内存(Read-Only Memory)是一种只能读取资料的内存。在制造过程中,将资料以一特制光罩(mask)烧录于线路中,其资料内容在写入后就不能更改,所以有时又称为“光罩式只读内存”(mask ROM)。此内存的制造成本较低,常用于电脑中的开机启动。

MORM
掩模式只读存储器的内容是由半导体制造厂按用户提出的要求在芯片的生产过程中直接写入的,写入之后任何人都无法改变其内容。

PROM
可编程只读存储器(英语:Programmable read-only memory),缩写为PROM或FPROM.
这种存储器用作永久存放程序之用。常用于电子游戏机、电子词典等预存固定数据或程序的各式电子产品之上。PROM与狭义的ROM(Mask ROM)的差别在于前者可在IC制造(制造集成电路)完成后才依需要写入数据,后者的数据需在制造IC时一并制作在里面。

EPROM
可抹除可编程只读内存(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)。是一种具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程的ROM内存。

EEPROM
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器(不要觉得多高大上,其实经常都会用到),即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种,变成了一类存储器的统称。

FLASH
闪存(flash memory)是一类非易失性存储器,基于EEPROM,可以对块的存储器单元进行擦写和再编程。

存储器和寄存器区别

寄存器是CPU里的存储单元,与CPU离得近,所以CPU在运算时通常都会用寄存器当中转站。
存储器是在CPU外部的存储器。

虚拟存储器

虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器的逻辑模型,不是任何实际的物理存储器。
它借助于磁盘等辅助存储器来扩大主存容量,使之为更大或更多的程序所使用。
虚拟存储器指的是主存-外存层次,它以透明的方式为用户提供了一个比实际主存空间大得多的程序地址空间。

虚拟内存

虚拟内存是用硬盘的一部分当内存,虽然把它当做内存用,可这块空间毕竟是在硬盘,速度肯定不如真是内存,所以说它是虚的。